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    ZnO 壓敏電阻的微觀結構分析發現,形成的四個主要 成分是?。冢睿稀⒓饩?、焦綠石和一些富?。拢椤∠啵▓D?。常?。圖 中也指明了組分存在的部位,還存在一些用現有技術尚不 易檢測出來的其它次要相。 ZnO 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在15和20μm 之間, 并且也總是伴有雙晶。SiO2的存在抑制晶粒生長,而?。裕椋希病?和?。拢幔稀t加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用,而尖晶石相在高溫 時有利。當用鹽酸浸蝕晶粒時,中間相呈現出在電性上絕 緣的三維網絡。 燒結形成的 ZnO 晶粒是?。冢睿稀好綦娮璧幕緲嫵蓡渭儭。冢睿稀∈蔷哂芯€性?。桑铡√匦缘姆腔瘜W計量?。睢⌒桶雽?體。進入  ZnO  中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是  Bi 2O3。這些氧化物的引入,在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷,施主或類施主缺陷支配著耗盡層, 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態。相關的缺陷類 型是鋅空位(V Zn'、V Zn'')、氧空位(V o 、V o )、填隙鋅

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    掃描電子顯微鏡(簡稱掃描電鏡,SEM)是繼透射電鏡之后發展起來的一種電鏡。與透射電鏡的成像方式不同,掃描電鏡是用聚焦電子束在樣品表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒,成像信號可以是二次電子(被入射電子轟擊出來的樣品核外電子)、背散射電子(被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子)或吸收電子。其中二次電子為主要的成像信號?,F以二次電子像的成像過程來說明掃描電鏡的工作原理。由電子槍發射的能量為5-35KeV的電子,以其交叉斑作為電子源,經二級聚光鏡及物鏡的縮小形成

    具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束,在掃描線圈驅動下,于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用,產生二次電子發射(以及其他物理信號),二次電子發射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉換成電訊號,經視頻放大后輸入到顯像管柵極,調制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度,得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

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